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SI4448DY-T1-GE3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4448DY-T1-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 20A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12350pF @ 6V 功率 - 最大值：7.8W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 光学 - 反射式 E3F2-DS30C4 光隔离器 - 三端MOC3041VM 多芯导线2821WH005 电源输入 - 输入6167.0009 Linear - OPA2889IDR 按钮开关9633NCDB FET - 单STD8NM60N 光学 - 反射式 E3T-FL21-M1TJ0.3M D-SubABLVDIE Card EdgeHBC26DREI-S93 |
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